各部门、各单位：

应我校科研处和理学院邀请，中国兵器第204研究所冯昊研究员来我校作学术讲座，欢迎广大师生参加！具体安排如下：

报告时间：2019年11月20日（周三）17:00—18:30

报告地点：理学院418会议室

报告题目：原子层沉积：从原理到应用

摘 要：原子层沉积（atomic layer deposition, ALD）是一种先进的表面工程技术，该技术通过周期性控制气态反应前驱体与基底之间表面饱和的化学反应实现单原子层精度的可控薄膜生长。采用ALD技术合成的薄膜严格遵循预先设计的组成和结构，完整性、均匀性、致密性极佳。此外，ALD薄膜优秀的三维均匀性赋予了该技术对具有复杂几何结构的表面（例如高比表面积粉体纳米材料等）进行精确修饰的独特能力。通过ALD可在材料表面引入特定的物理或化学性质，显著改变材料的性能。本报告将简要介绍原子层沉积技术的基本概念、工作原理、实现方式、主要应用领域，并介绍本课题组近年来基于原子层沉积技术开展的纳米催化剂、纳米含能材料、纳米薄膜材料可控合成及性能调控方面的探索性工作。

报告人简介：冯昊，本科毕业于北京大学化学系，博士毕业于美国西北大学化学系，美国能源部阿贡国家实验室博士后。2011年加入中国兵器第204研究所，主要从事与原子层沉积（ALD）技术相关的研究工作，研究方向包括ALD装置研发、纳米催化、纳米含能材料、纳米薄膜材料等。现任中国兵器工业集团科技带头人，研究员，博士生导师。

特此通知。

科研处

理学院

2019年11月18日